美因茨大學的研究人員表明，信息可以存儲在反鐵磁材料中，并可以測量書寫操作的效率。

人們存儲越來越多的信息，而終端設備卻變得越來越小。但是，由于技術的不斷改進，基于硅的常規(guī)電子設備已達到物理極限，例如位大小或存儲信息所需的電子數(shù)量。自旋電子學，尤其是反鐵磁材料，提供了另一種選擇。在自旋電子學中，信息不僅存儲在電子中，而且存儲在電子的自旋和相關的磁矩中。這樣，可以在相同的空間量中存儲兩倍的信息。然而，到目前為止，是否有可能在反鐵磁材料中以電子方式存儲信息一直存在爭議。

約翰內斯·古騰堡大學美因茨大學(JGU)的研究人員與日本仙臺東北大學合作，現(xiàn)已證明它是可行的：JGU的MathiasKläui教授小組的Marie Sklowdoska-Curie研究員Lorenzo Baldrati博士說：“不僅能夠從根本上證明反鐵磁材料中的信息存儲是可能的，而且還能夠測量在反鐵磁絕緣材料中如何有效地電寫入信息。”

為了進行測量，研究人員使用了反鐵磁絕緣體氧化鈷CoO，這種模型材料為將來的自旋電子學應用鋪平了道路。結果是：電流比磁場更有效地操縱反鐵磁性材料。這一發(fā)現(xiàn)為從無法被外部磁場擦除的智能卡到超高速計算機等各種應用打開了大門，這要歸功于反鐵磁優(yōu)于鐵磁。該研究論文最近發(fā)表在《物理評論快報》上。在進一步的步驟中，JGU的研究人員希望研究信息的保存速度和信息的緊湊程度。

MathiasKläui教授說：“我們與自旋電子學領域的領先大學-東北大學的長期合作，產(chǎn)生了另一項令人振奮的工作。” “在德國交流服務局，美因茨卓越材料科學研究生院和德國研究基金會的支持下，我們在美因茨與仙臺之間進行了一次熱烈的交流，并與這一主題的前沿理論小組合作。我們有機會在我們的大學之間獲得第一學位，這是學生所注意到的。這是在反鐵磁自旋電子學這個新興領域組建一支國際卓越團隊的下一步。”